"Steuerung der Grenzflächenwechselwirkung bei der Strukturierung von 193 nm Fotolacken – ein neues Konzept zur Vermeidung des Linienkollaps durch den Einsatz von kationischen Tensiden"

Förderer:
Qimonda Dresden GmbH & Co. KG
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

Ansprechpartner:
Dr. Karina Grundke
Dr. Astrid Drechsler
Dr. Cornelia Bellmann

Laufzeit:
2002-2006

Abstract:
Der Kollaps von Photoresist-Strukturen ist ein Faktor, der die Miniaturisierung der Strukturen in der mikroelektronischen Chipfertigung stark einschränkt. Er wird von unausgewogenen Kapillarkräften während des Trocknungsprozesses hervorgerufen. Eine neue, vom Chiphersteller Qimonda entwickelte Methode wendet eine Spülung mit einem kationischen Tensid an, um den Linienkollaps zu verhindern. Physikochemische Untersuchungen zeigten, dass das Tensid tatsächlich die Kapillarkräfte reduziert, indem es auf der Fotolackoberfläche adsorbiert und diese hydrophobiert.

weitere Informationen: Jahresbericht 2005